MOS场效应管SI2308BDS-T1-GE3
产品型号：SI2308BDS-T1-GE3商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：2.3A
漏源电压（Vdss）：60V
栅源极阈值电压：3V@250uA
漏源导通电阻：156mΩ@1.9A,10V
类型：N沟道
最大功率耗散（Ta）：1W
参数：
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.3A（Tc）
不同Id，Vgs时的?RdsOn（最大值）：156毫欧@1.9A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.8nC@10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：190pF@30V
功率-最大值：1.66W
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
应用：
电池开关
直流/直流转换器
页:
[1]