MOS场效应管SI2308BDS-T1-GE3

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　　产品型号：SI2308BDS-T1-GE3
　　商品目录：MOS(场效应管)
　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：2.3A
　　漏源电压（Vdss）：60V
　　栅源极阈值电压：3V@250uA
　　漏源导通电阻：156mΩ@1.9A,10V
　　类型：N沟道
　　最大功率耗散（Ta）：1W

　　参数：
　　FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
　　FET功能：标准
　　漏源极电压（Vdss）：60V
　　电流-连续漏极（Id）（25°C时）：2.3A（Tc）
　　不同Id，Vgs时的?RdsOn（最大值）：156毫欧@1.9A，10V
　　不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA
　　不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：6.8nC@10V
　　不同Vds时的输入电容（Ciss）：190pF@30V
　　功率-最大值：1.66W
　　工作温度：-55°C~150°C（TJ）
　　安装类型：表面贴装
　　封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
　　供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

　　应用：
　　电池开关
　　直流/直流转换器