FDS8449场效应管参数
简介： 这些n通道mosfet是使用半导体先进的power堑壕工艺生产的，该工艺特别为最小化导通电阻而设计，同时保持了优越的开关性能。 产品型号：FDS8449 商品目录：MOS(场效应管) 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.6A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压（最大值）：3V@250uA 漏源导通电阻（最大值）：29mΩ@7.6A，10V 类型：N沟道 功率耗散（最大值）：2.5W 封装展示：http://file2.dzsc.com/product/19/03/22/112549877.jpg 热特性：http://file2.dzsc.com/product/19/03/22/112600194.jpg
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