FDS8449场效应管参数

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　　简介：

　　这些n通道mosfet是使用半导体先进的power堑壕工艺生产的，该工艺特别为最小化导通电阻而设计，同时保持了优越的开关性能。

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　　产品型号：FDS8449

　　商品目录：MOS(场效应管)

　　电流-连续漏极（Id）（25°C时）：7.6A

　　漏源电压（Vdss）：40V

　　栅源极阈值电压（最大值）：3V@250uA

　　漏源导通电阻（最大值）：29mΩ@7.6A，10V

　　类型：N沟道

　　功率耗散（最大值）：2.5W

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　　封装展示：

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　　热特性：