SIC780CD-T1-GE3技术参数
SiC780是一个集成的功率级解决方案，为同步降压应用优化提供高电流、高效率和高功率密度。SiC780封装在Vishay的专有6mmx6mmMLP封装中，使得电压调节器设计能够以93%的峰值效率提供超过50A的每相电流。
内部功率MOSFET利用了Vishay最新的TrenchFETGenIII技术，该技术通过显着降低开关损耗和导通损耗来提供工业基准性能。
SIC780CD-T1-GE3特征：
热增强型PalPakMLP6X640L封装
集成肖特基二极管的工业基准MOSFET
连续输送超过50的电流
93%峰效率
高达1MHz的高频操作
12V输入级功率MOSFET优化设计
3.3V（SiC780ACD）/5V（SIC780CD）PWM逻辑三态保持
提高轻负载效率的SMOD逻辑
低PWM传播延迟（＜20nS）
热监视标志
启用特征
VCINUVLO
符合英特尔DRMOS4规范
材料分类：依从性定义
SIC780CD-T1-GE3应用：
同步降压变换器
用于CPU、GPU和存储器的多相VRDS
DC/DC POL模块
典型应用图：
引脚描述：
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