SIC780CD-T1-GE3技术参数

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　　SiC780是一个集成的功率级解决方案，为同步降压应用优化提供高电流、高效率和高功率密度。
　　SiC780封装在Vishay的专有6mmx6mmMLP封装中，使得电压调节器设计能够以93%的峰值效率提供超过50A的每相电流。
　　内部功率MOSFET利用了Vishay最新的TrenchFETGenIII技术，该技术通过显着降低开关损耗和导通损耗来提供工业基准性能。

　　SIC780CD-T1-GE3特征：
　　热增强型PalPakMLP6X640L封装
　　集成肖特基二极管的工业基准MOSFET
　　连续输送超过50的电流
　　93%峰效率
　　高达1MHz的高频操作
　　12V输入级功率MOSFET优化设计
　　3.3V（SiC780ACD）/5V（SIC780CD）PWM逻辑三态保持
　　提高轻负载效率的SMOD逻辑
　　低PWM传播延迟（＜20nS）
　　热监视标志
　　启用特征
　　VCINUVLO
　　符合英特尔DRMOS4规范
　　材料分类：依从性定义

　　SIC780CD-T1-GE3应用：
　　同步降压变换器
　　用于CPU、GPU和存储器的多相VRDS
　　DC/DC POL模块

　　典型应用图：

　　引脚描述：