英国研发新一代革命性内存取代现有DDR

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近日，据外媒报道称，英国的研究人员找到了一种新型的“内存”，它使用的是III-V族材料，主要是InAs砷化铟和AlSb锑化铝，用这些新材料制成的NVDRAM非易失性内存具备优秀的特性，在同样的性能下开关能量低了100倍，也就是说功耗只有现有DRAM内存的1%，同时延迟可低至10ns。

总之，这种新型材料制成的内存芯片具备三大特性——超低功耗、写入不破坏数据、非易失性，其性能相比现在的DRAM内存倒是没多大提升，10ns级别的延迟跟DDR4内存差不多，但是上面三条特性，尤其是非易失性就足够让“内存”革命了。

不过，英国研发人员现在只是找到了新一代III-V材料内存的理论方向，真正大规模制造这种内存还是没影的事。所以在2021-2022年这段时间，DDR5内存还将是服务器市场及桌面市场的主力，据了解三星、镁光、海力士等公司即将量产的DDR5内存最高速率可达6400Mbps。