三大主流半导体存储器存在的各种不足

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　　三大主流半导体存储器存在的各种不足：
　　DRAM：
　　数据易失，容量小。尽管DRAM各项性能都很优秀——纳秒级别的延迟，数十GB/S的带宽，接近于“长生不老”的寿命；然而它是易失性存储器，即断电后数据会丢失，而且，其成本比闪存高，容量也较小。此外，尽管平面微缩离物理极限还有一定的距离，但是在18/16nm之后，继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势。
　　NAND：
　　延迟长，寿命短，平面微缩已到极限。NANDflash具有低成本（相对DRAM），低功耗，非易失，体积小等优点，但由于其每次写入数据时需要施加高压，让电子突破晶体管的氧化膜进入浮动栅极，这一过程会对氧化膜造成不可逆的损害，性能最好的SLC NAND，读写次数也只有10万次左右，而差一些的MLC，TLC的读写寿命均以千次为量级。制程微缩方面的情况和DRAM类似，进入16nm后，2D NAND的成本在急剧上升，继续采用平面微缩工艺的难度和成本已经超过3D TSV技术，同时微缩之后绝缘层也需要相应减薄，在薄到一定程度之后，电子在电压不满足的情况下也可能会发生隧穿效应，从而影响芯片的可靠性。
　　NOR：
　　容量小，写入擦除速度慢。NOR Flash的优点是应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中，故其传输效率很高，读取速度快，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，主要被用来存储程序。然而NOR的器件结构要求其在进行擦除前先要将所有的位都写入0，这就使得其擦除速度很低，同时由于闪存在写入数据之前，均要求进行擦除，故这也会影响到NOR的写入速度。
　　综述所述，现有存储器的问题主要有内外存性能不匹配、内存不具备非易失性、外存微缩难度大等等，因此不少企业和研究机构都迫切想要研发出新型的存储器，希望其能同时具有 DRAM的高速度高寿命和FLASH 的低成本非易失的优点。