高压瓷介电容器C1812X102K202T参数

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　　瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

　　瓷片电容优缺点：

　　优点：稳定，绝缘性好，耐高压

　　缺点：容量比较小

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　高压瓷介电容器C1812X102K202T参数：

　　产品型号：C1812X102K202T

　　商品目录：高压电容

　　精度：±10%

　　温漂系数（介质材料)：X7R

　　额定电压：2000V

　　容值：1nF

　　摘要规范：

　　操作温度：-55℃~+125℃

　　额定电压：1000Vdc8000Vdc

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　　高压瓷介电容器C1812X102K202T温度系数：

　　NP0：±30ppm/℃、-55℃~+125℃(EIA类Ι)

　　X7R：±15%,-55℃~+125℃(EIA类Ⅱ)

　　耗散因子NP0：Q≧1000,X7R：测向≦2.5%

　　绝缘电阻：10gΩ或500/CΩ哪个更小

　　老化：NP0：0%,X7R：通常每十年2.5%的时间

　　绝缘强度：

　　100V≦V<500V：额定电压的200%

　　500V≦V<1000V：额定电压的150%

　　1000≦V：120%额定电压

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