导致陶瓷贴片电容失效的主要因素有哪些?

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　　贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，不同的规格有不同的用途。在使用过程中我们也经常会遇到各种各样的问题，带给我们不小的影响，那么导致陶瓷贴片电容失效的主要因素有哪些?下面由深圳三星电容代理商欧凯鑫锐的小编为大家介绍：

　　1)湿度对电参数恶化的影响

　　陶瓷介质的老化大大降低了芯片电容器的介电强度，并可能导致芯片电容器击穿。因此，这种陶瓷芯片电容器的电解击穿要比不含二氧化钛的陶瓷介质片式电容器严重。

　　贴片电容器电极的边缘电场畸变的银离子迁移，因为陶瓷介质表面凝高湿度的环境中的水膜，贴片电容边缘表面科罗娜啤酒电压明显降低，表面闪络现象的产生与工作条件。在严重的情况下，芯片电容器表面的电弧击穿极为显著。表面击穿是芯片电容结构，相关的电极间距离、负载电压、保护层、吸湿透气疏水性。经干燥、除湿、芯片电容器电性能可以得到改善，但水分子电解不能根除的后果。

　　2)银离子迁移的后果

　　大多数无机介质片式电容器是由银电极制成的，而半密封贴片电容器在高温下工作，并穿透芯片电容器内部的水分子产生电解。通过阳极氧化反应，银离子和氢氧根离子结合生成氢气生成氧化银，在氢和氢离子的阴极反应中还原反应生成银和银水。由于电极反应，阳极的银离子不断还原为阴极，金属银粒子通过水膜与阳极相连。银离子迁移不仅发生在无机介质表面，而且扩散到无机介质中，使泄漏电流增大。在严重的情况下，两个银电极之间的短路会导致芯片电容器的击穿。

　　由于有效电极面积减小，芯片电容器相应减小。在氧化银半导体和电介质表面的两个电极之间的无机绝缘电容器的表面绝缘电阻减小。银离子迁移严重，树枝状银之间架设的两个电极，贴片电容的绝缘电阻大大降低。

　　3)陶瓷芯片电容器在高温下的击穿机理

高湿度环境下半封闭陶瓷片式电容器的击穿失效是一个严重的问题。击穿现象可分为两类：介质击穿和表面闪络。根据介电击穿发生的时间可分为两种故障和故障的早期老化，早期故障暴露的电容器介质材料和生产工艺的缺陷，这些缺陷导致陶瓷介电强度显著下降，因此，在高湿度的领域，在测试的早期或工作压力SMD电容器击穿。大多数老化故障属于电化学故障类别。

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