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[机械杂谈] NTS2101PT1GMOS(场效应管)

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  • TA的每日心情
    开心
    2020-6-1 14:21
  • 签到天数: 28 天

    [LV.4]偶尔看看III

    发表于 2019-6-5 16:19:56 | 显示全部楼层 |阅读模式
           产品型号:NTS2101PT1G
      商品目录:MOS(场效应管)
      连续漏极电流(Id)(25°C时):1.4A
      漏源电压(Vdss):8V
      栅源极阈值电压(最大值):700mV@250uA
      漏源导通电阻(最大值):100mΩ@1A,4.5V
      类型:P沟道:
      功率耗散(最大值):290mW

      NTS2101PT1G特性:
      领先的沟槽技术,低RDS(on)延长电池寿命
      -1.8V额定低压门驱动器
      SC-70表面贴装,占地面积小(2x2毫米)
      免费包装

      NTS2101PT1G应用程序:
      高侧负荷开关
      充电电路
      单电池应用,如手机,数码相机、pda等

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