STP90NF03L场效应管技术参数

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　　介绍：
　　本应用专用功率Mosfet是第三代意法半导体独特的“单特征尺寸?”条带制程所得到的晶体管显示了导通电阻和栅电荷之间的最佳平衡。当用作buck稳压器的高侧和低侧时，它在导通损耗和开关损耗方面都表现得最好。这对于主板非常重要，因为在主板上，快速切换和高效率是至关重要的。

　　产品型号：STP90NF03L
　　商品目录：MOS(场效应管)
　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：90A
　　漏源电压（Vdss）：30V：
　　栅源极阈值电压（最大值）：2.5V@250uA
　　漏源导通电阻（最大值）：6.5mΩ@45A，10V
　　类型：N沟道
　　功率耗散（最大值）：150W

　　技术参数：
　　FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
　　FET功能：标准
　　漏源极电压（Vdss）：30V
　　电流-连续漏极（Id）（25°C时）：90A（Tc）
　　不同Id，Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.5毫欧@45A，10V
　　不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V@250μA
　　不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：47nC@5V
　　不同Vds时的输入电容（Ciss）：2700pF@25V
　　功率-最大值：150W
　　工作温度：-65°C~175°C（TJ）
　　安装类型：通孔
　　封装/外壳：TO-220-3
　　供应商器件封装：TO-220AB

　　绝对最大额定参数：