HGN032NE4S Power MOSFET功能：

　　高速切换优化

　　增强体二极管dv/dt能力

　　增强雪崩强度

　　100% ui测试，100% Rg测试

　　无铅、无卤素

　　HGN032NE4S Power MOSFET应用程序：

　　SMPS同步整流

　　硬开关、高速电路

　　电动工具

　　UPS

　　电动机控制

　　HGN032NE4S Power MOSFET封装引脚：

　　绝对最大额定参数Tj=25℃时(除非另有说明)：

　　连续漏极电流(硅限)：

　　TC = 25℃：140

　　TC = 100℃：89

　　TC = 25℃：60

　　漏极到源极电压：45V

　　门源电压：±20V

　　脉冲漏极电流：350A

　　雪崩能量，单脉冲：100mJ

　　功耗：104w

　　操作和储存温度：-55 ~ 50℃

　　电特性Tj=25℃时(除非另有说明)：