法Aledia研发氮化镓纳米线3D LED技术降低成本
Aledia S.A.是从法国格勒诺布尔微纳米技术研发中心CEA-Leti分离出来的一家公司，他们基于标准200mm硅平台开发出一种具有颠覆意义的3D LED技术。与传统的2D LED技术相比，这种3D LED技术可以极大降低LED芯片的单片成本。根据外媒Semiconductor Today报道，为了拿下计算机，平板电脑，智能手机和增强现实（AR）智能眼镜等相关市场（估计价值约1.2亿美元），该公司于今年早些时候宣布计划在格勒诺布尔地区建立第一家工厂。 基于这些规划，Aledia计划到2022年实现微型显示器的大规模生产。
Aledia与Cea-Leti在大尺寸硅基板上，基于GaN Nanowires（氮化镓纳米线）技术联合开发了一种3D LED的制造工艺。自2012年以来，Aledia针对这项技术申请了100多组同族专利（同一项发明在多个国家/地区申请），另外在全球范围内还有440多项待分组和申请中的专利。“有趣的是，获得授权的180多项专利申请，重点放在了欧洲（90多项专利）和美国（50多项专利）上，亚洲相对较少，”IP策略咨询公司Knowmade的技术与专利分析师Remi Comyn博士指出，他的方向是化合物半导体与电子技术领域。后来他又补充说，“需要注意的是，他们还有29组同族专利尚未获得授权；另外，这其中大多数发明都是在过去三年提交的，并且与显示应用有关。”
截至今年9月，Aledia已经拥有58组纳米线LED技术相关的同族专利。据其介绍，该初创公司最开始规划的市场是住宅照明和汽车照明，这一点可以从宜家和法雷奥等公司的投资看出。不过，后来他们对此又作了调整，最终把主要市场放在了显示应用。正是这一改变，让Aledia的专利中多了40多组与显示器相关的同族专利，这其中的30组都是在过去三年中提交的。在纳米线LED专利领域，三星和glō等公司的战略方向也有类似的趋势。结果，纳米线LED基微型显示器的相关专利申请在2016/2017年开始出现增长。随着越来越多的竞争者参与到Micro-LED商业化的角逐中，市场预计相关的专利布局在2020/2021年会进一步加速。 Aledia显示应用战略的另一个组成部分是，英特尔于2018年也加入了其投资者行列。与此同时，Knowmade将这家美国公司确定为纳米线LED专利领域的新晋，其方法与Aledia有点相似，不过它直接把重点放在了Micro-LED显示器（图1顶部）领域。Comyn说道：“英特尔正在开发基于纳米线（包括GaN纳米线）的硅基LED结构和相关显示器的制造方法”。实际上，Knowmade已在确定英特尔在纳米线LED专利领域提交了19项发明专利申请，不过这其中大部分都是在美国提交的。截至9月，英特尔已获得授权5项美国专利。更多动态：新材料网 2020年，Knowmade同时也对硅基GaN专利领域进行了调查，这其中Aledia拥有30组同族专利。Comyn说：“Aledia在硅基GaN专利领域的发明主要与纳米线发光层生长的精度和可控性有关。”
此外，Aledia还拥有其研发合作伙伴Cea-Leti的其他专利支持，Cea-Leti在纳米线LED和光电用GaN-on-Si领域的深耕已广为人知。该研究所拥有与纳米线LED相关的50组同族专利，具体拥有授权专利170多项，分别在美国（40+），欧洲（30+），中国（15）和日本（15）。有趣的是，这些专利中至少有五项发明也都集中在显示器上（例如，US8890111）。
总的来说，得益于其自身专利布局和合作伙伴之间的知识产权协议，Aledia目前已经拥有170多组同族专利，这一强大的专利组合有利于保护其技术的商业化。
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