MOS(场效应管)STP60NF06
产品型号：STP60NF06 商品目录：MOS(场效应管) 连续漏极电流（Id）（25°C时）：60A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V@250uA 漏源导通电阻：16mΩ@30A,10V 类型：N沟道 最大功率耗散（Ta）：110W特点： 特殊的dv/dt能力 100%雪崩测试 面向应用的表征
特征： FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物 FET功能：标准 漏源极电压（Vdss）：60V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：60A（Tc） 不同?Id，Vgs时的?RdsOn（最大值）：16毫欧@30A，10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：73nC@10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）：1660pF@25V 功率-最大值：110W 工作温度：-55°C~175°C（TJ） 安装类型：通孔 封装/外壳：TO-220-3 供应商器件封装：TO-220AB STP60NF06产品：http://www.dzsc.com/ic-detail/9_359.html
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