IKW40N120H3目标应用
IKW40N120H3简介：1200VIGBT，采用反并联二极管，TO-247封装
高速1200V、40A硬开关TRENCHSTOP?IGBT4，采用TO-247封装的续流二极管装，提供开关和传导损耗之间的折中方案。此产品系列的主要特征是类似MOSFET的关断开关行为，实现了低关断损耗。
IKW40N120H3特征描述:
专门设计用于替代在开关频率低于70kHz的应用中的平面式MOSFET。
高效率，低开关损耗
借助英飞凌卓越的TRENCHSTOP?技术，实现了出色的VCEsat行为。
快速开关行为，低电磁干扰辐射
针对目标应用的优化二极管，意味着进一步改善开关损耗
在保持出色的开关行为的同时可以实现低栅极电荷选择（低至5Ω）
短路容量
提供最高175°C的Tj
可带或可不带续流二极管的封装，增加了设计自由度
IKW40N120H3优势:
低开关和传导损耗
非常好的电磁干扰行为
可以与小型栅极电阻一起使用，以减少延迟时间和电压过冲。
高电流密度
一流的1200VIGBT效率和电磁干扰行为
IKW40N120H3目标应用:
不间断电源(UPS)
太阳能系统解决方案
工业加热和焊接
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