NTS2101PT1GMOS(场效应管)
产品型号：NTS2101PT1G商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C时）：1.4A
漏源电压（Vdss）：8V
栅源极阈值电压（最大值）：700mV@250uA
漏源导通电阻（最大值）：100mΩ@1A，4.5V
类型：P沟道：
功率耗散（最大值）：290mW
NTS2101PT1G特性：
领先的沟槽技术，低RDS(on)延长电池寿命
-1.8V额定低压门驱动器
SC-70表面贴装，占地面积小(2x2毫米)
免费包装
NTS2101PT1G应用程序：
高侧负荷开关
充电电路
单电池应用，如手机，数码相机、pda等
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