MOS(场效应管)NCE0140K
NCE0140KA采用了先进的沟槽技术和设计，提供了极好的低闸门充电RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。产品说明：NCE0140K
商品目录：MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）：40A（Tc）
漏源电压（Vdss）：100V
栅源极阈值电压（最大值）：1.5V @ 250uA
漏源导通电阻（最大值）：17 mΩ @ 20A，10V
类型：N 沟道
功率耗散（最大值）：140W（Tc）
NCE0140K特征：
特殊工艺，具有高ESD能力
高密度电池设计超低Rdson
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，EAS高
良好的散热包装
应用程序：
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
不间断电源
标记和引脚分配：
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