气体管道工程系统测试的内容有哪些-沃飞科技
气体管路的测试指的是要确保管路的外观及管内的各项测试都合乎客户要求的标准并确保我们的产品的品质达到一定的水准。气体管路的测试内容概略可分为测漏及管路内的分析，没做好前者容易造成危险气体泄漏，造成严重后果。下面就来为大家介绍气体管道工程系统测试的内容有哪些。http://5b0988e595225.cdn.sohucs.com/images/20171120/88710dfa9266400486f5f1a9bd3ad69f.jpeg一、保压测试
目的：保压测试的目的除了在检查管路，接头是否有泄漏之情形外，另一目的则是在于利用高于工作压力之气体压力保持在一封闭管路内，经过一段时间后及可侦测出管路焊道上是否有沙孔（沙孔会因过高的压力而造成泄漏）以及衔接点是否可承受如此高的压力而不至泄漏，以确保所有人员的安全。
原理：将待测管路通入PN2，使其压力达到管路正常使用压力的1。1倍或是7至9公斤之间，在一端接上记录器，经过一段时间后检查是否有压降现象，若无则表示该管路已通过保压测试，反之，则检查压降之原因，并在原因排除后再做一次保压测试，直到完全没有泄漏为止
二、氦测漏
目的；因氦气的分子非常小（4），可侦测出非常小之漏点，如果说保压测试是测大漏，氦测漏则是测小漏，在壮达人所著的VLSI制造技术一书中提到（气体管路的漏率在每秒10E—9CC才可以送气）如此才不会造成危险。
原理；将待测管路用氦测漏机将管内抽至超近真空状态，当达到客户要求之漏率时，用还氦气喷在焊道及接头上，若氦测漏机无反应表示测漏完成，若有反应则表示有漏，针对漏点问题排除。
三、P灰尘含量分析
目的；particle在半导体厂中是不良率祸首之一，尤其在现在的制程越来越小的情况下，如管路中含有过多的particle，对wafcr的良率影响很大
原理；利用samplc gas流经雷射头，若particle则会造成crystal的震荡而测的出particle的大小及数量。
四、氧含量分析
目的：晶片在生产过程中，原本大气中O2会和Si产生化学反应得O2+Si=SiO2（二氧化矽）为原始的氧化层，如果管路的氧含量过高，原始的氧化层会超出原本已计算好的厚度，如此会严重影响接下来各阶段的制程。
原理；我们利用纯度较高的PN2对待测管路以长时间purge的方式，将微氧带离管路，并在一端接上分析仪器，直到仪器显示的含氧量达到客户要求的标准为止。
五、水含量分析
目的：晶片在生产过程中，原本大气中H2O会和Si产生化学反应得：2H2O+Si=SiO2+2H2，其中二氧化矽为原始的氧化层，如果管路的含水量过高，原始的氧化层会超出原本已计算好的厚度，如此会影响接下来各阶段的制程。
原理：我们利用纯度较高的PN2对待测管路以长时间purge的方法，将水气带离管路，并在一端接上分析仪器，直到仪器显示的含氧量浓度达到客户要求的标准为止。
以上就是深圳沃飞集中供气系统厂家为大家介绍的有关气体管道工程系统测试的内容有哪些的分析，希望可以给大家提供参考。
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